CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究

• 作者: 向北平 胡伟 谢小柱 魏昕
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 抛光液 抛光效率 表面平整度
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 78-80
• 页数: 3页
• 分类号: TG74
• 字数: 4144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-852X.2006.06.021

摘要

本文分析了化学机械抛光(CMP)半导体晶片过程中抛光液的重要作用,总结了抛光液的组成及其化学性能(氧化剂、磨料及pH值等)和物理性能(流速、粘性及温度)对抛光效果的影响规律,研究发现:酸性抛光液常用于抛光金属材料,pH最优值为4,碱性抛光液常用于抛光非金属材料,pH最优值为10～11.5;氧化剂能有效提高金属材料的抛光效率和表面平整度;磨料的种类、浓度及尺寸会影响抛光效果;分散剂有助于保持抛光液的稳定性;抛光初始阶段宜采用较低流速,然后逐渐提高;抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式、抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应;抛光液温度的升高有助于提高抛光效率.最后本文指出了抛光液循环使用的重要意义及常用方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢小柱	广东工业大学机电工程学院	73	422	11.0	16.0
2	胡伟	广东工业大学机电工程学院	57	313	10.0	14.0
3	魏昕	广东工业大学机电工程学院	111	782	15.0	22.0
4	向北平	西南科技大学制造学院	41	219	8.0	13.0