一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

• 作者: 何开全 刘玉奎 张正璠 徐世六 杨谟华 胡刚毅 谭开洲 钟怡
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 界面陷阱 亚阈值电流 X射线辐射 VDMOS
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1872-1877
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.03.096

摘要

利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流一电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.