基体对应力诱导的纳米晶W膜开裂行为的影响

• 作者: Song Zhong-Xiao 孙浩亮 徐可为
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: W膜 残余应力 裂纹 晶粒
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5226-5231
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 2530字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.08.088

摘要

采用磁控溅射方法同时在Si(100)和聚酰亚胺(PI)基体上沉积W膜,对比研究不同基体约束对纳米晶W膜微观结构及应力诱导的开裂行为的影响.结果发现.在两种基体上W膜的裂纹形态明显不同.在Si基体上W膜的裂纹呈楔形,而在PI基体上W膜的裂纹呈半圆柱形凸起于薄膜表面.这种裂纹形态的差异源于两种基体上W膜的变形机理不同.在刚性Si基体上,W膜的裂纹扩展是通过晶粒平面内的转动实现的.而在柔性PI基体上W膜裂纹扩展是通过排列晶粒在平面内、外的转动协调完成的.分析表明,两种截然不同的开裂行为与不同基体上薄膜内应力的变化规律、基体对薄膜的异质约束能力密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐可为	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	238	3333	30.0	44.0
2	孙浩亮	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	4	18	3.0	4.0
3	Song Zhong-Xiao	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	1	1	1.0	1.0