碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算

• 作者: 乔宪武 张嵩波 戴剑锋 李维学 王青
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管阵列 六角排列 场发射 栅极冷阴极
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1903-1905
• 页数: 3页
• 分类号: O44
• 字数: 2089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.11.039

摘要

垂直于栅极冷阴极六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列是最具有应用前景的CNTs场发射平面显示器结构.计算了该结构尖端及侧壁的电势和电场分布以及场增强因子.计算结果表明:CNTs尖端处电场强度很大,随着半径Υ的增加,电场强度急剧减小;CNTs长径比L/Υ越大,尖端电场越强;栅孔半径R越大,CNTs顶端电场强度越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王青	兰州理工大学理学院	75	353	10.0	15.0
5	戴剑锋	兰州理工大学理学院	92	405	10.0	15.0
9	李维学	兰州理工大学理学院	68	287	10.0	12.0
13	乔宪武	兰州理工大学理学院	3	3	1.0	1.0
14	张嵩波	兰州理工大学理学院	2	5	2.0	2.0