C和As共掺杂的γ-Si_3N_4电子性质的密度泛函理论研究

• 作者: 张玉芬 程秀凤 赵显
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 电子性质 C和As共掺杂的γ-Si_3N_4
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2452-2454
• 页数: 3页
• 分类号: O641
• 字数: 2176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2009.12.025

摘要

采用密度泛函理论研究了C和As共掺杂的γ-Si_3N_4的电子性质.当晶体中少量的四配位硅原子被碳原子所取代,同时用少量的砷原子取代氮原子,晶体结构的带隙可以被调整;当n(C)/n(Si)≈0.063,n(As)/n(N)≈0.047时,材料会发生绝缘体到金属的转变.从态密度图中可以观察到价带顶端的能量明显上升.讨论了关于这种共掺杂所引起的带隙较大减小的可能原因和潜在的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀凤	山东大学晶体材料研究所	21	37	4.0	4.0
2	赵显	山东大学晶体材料研究所	31	87	5.0	8.0
3	张玉芬	山东大学晶体材料研究所	1	1	1.0	1.0