薄膜材料研究中的XRD技术

• 作者: 修向前 傅德颐 刘斌 周元俊 张曾 张荣 李弋 谢自力 郑有料 韩平 顾书林
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线衍射 晶格参数 应力 应变 位错密度 Mosaic模型
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 108-114
• 页数: 7页
• 分类号: O72|O472
• 字数: 5414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.02.009

摘要

晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段.分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣.综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望.