Sc2O3替代层在532 nm高反膜中的应用

• 作者: 刘光辉 张伟丽 方明 晋云霞 范正修 贺洪波
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 替代层 高反膜 应力 激光损伤阈值 抛光
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1476-1480
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2080字
• 语种: 中文

摘要

将Sc2O3替代层引入到532 nm高反膜(HfO2/SiO2)n中,利用Sc2O3在盐酸中具有较好的溶解性这个特点,把膜层与基片脱离,以方便基片返修,缩短返修周期,降低成本.能量色散谱元素测试表明,脱离后Sc元素残留率为0.用Lamada900分光光度计、WykoNT1100轮廓仪和ZYGO干涉仪分别表征了替代层引入对高反膜的光谱、表面粗糙度和应力的影响,并测试了膜系在532 nm的激光损伤阈值的变化,结果表明Sc2O3替代层的引入对高反膜的性能几乎没有负面影响.