1064 nm与532 nm激光对电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜损伤比较

• 作者: 李大伟 李笑 赵元安 邵建达 陶春先
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学薄膜 激光损伤 电子束蒸发 电子缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1457-1460
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2936字
• 语种: 中文

摘要

研究了电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜在1 064 nm与532 nm激光辐照下的损伤行为.基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑.当能量密度较大时出现分层剥落;二倍频激光损伤主要是由电子缺陷引起的平底坑,辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑,但电子缺陷的损伤阈值更低;随着辐照脉冲能量密度的增大分层剥落逐渐成为主要的损伤形貌.分析认为,辐照激光波长的变化,引起吸收机制的变化从而导致了损伤阈值及损伤机制的差异.