532 nm HfO2/SiO2高反膜的激光预处理效应

• 作者: 刘杰 张伟丽 朱美萍
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束蒸发 532 nm高反膜 激光预处理 损伤阈值 缺陷
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 光学元件
• 页码范围: 254-259
• 页数: 6页
• 分类号: O436.2
• 字数: 1775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.032034

摘要

采用单台阶能量光栅扫描以及R-on-1测试两种不同预处理方式研究了激光预处理技术对532nm HfO2/SiO2高反膜的阈值提升效果.用Nd∶YAG二倍频激光对电子束蒸发制备的532 nm HfO2/SiO2高反膜进行1-on-1损伤阈值测试,然后分别进行单台阶能量光栅扫描以及R-on-1测试.通过对损伤概率以及损伤形貌的分析,发现激光预处理能够去除薄膜内低阈值缺陷,达到提高损伤阈值的目的,损伤阈值分别提高38％和30％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	中国科学院上海光学精密机械研究所	218	1905	24.0	36.0
5	张伟丽	中国科学院上海光学精密机械研究所	9	97	4.0	9.0
6	朱美萍	中国科学院上海光学精密机械研究所	7	35	4.0	5.0