SiO2/HfO2高反射膜的研制

• 作者: 丁涛 张锦龙 沈正祥 焦宏飞 王占山 程鑫彬 马彬
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 应力 面形 吸收 节瘤缺陷 预处理 激光损伤
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 1276-1280
• 分类号: TN246
• 字数: 4041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122406.1276

摘要

主要讨论了电子束蒸发SiO2/HfO2薄膜的面形控制和损伤性能.研究了电子束蒸发工艺参数对薄膜应力以及面形的影响；分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响,测量了制备薄膜的损伤阈值.研究结果表明:调整SiO2蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在-250～-50MPa.同时采用金属Hf蒸发可以显著地将节瘤缺陷密度从12.6 mm-2降低至2.7 mm-2,同时将损伤阈值从30 J/cm2提高至55J/cm2.