HfO2/SiO2双色膜在1064nm和532nm激光辐照下的损伤特性

• 作者: 李海波 潘峰 王震 陈松林 马平
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 双色膜 内保护层 基频光 倍频光 激光损伤
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 75-78
• 分类号: O484
• 字数: 1778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112301.0075

摘要

采用电子束蒸发的方式,制备了有氧化硅内保护层和没有氧化硅内保护层的1 064 nm高透过、532 nm高反射的HfO2/SiO2双色膜,测量了它们的光学性能以及在基频和倍频激光辐照下的抗损伤性能.结果表明:氧化硅内保护层提高了双色膜在基频光辐照下的损伤阈值,对双色膜在倍频光辐照下的损伤阈值无明显影响.通过观察薄膜的损伤形貌,分析破斑的深度信息结合驻波场分布,对两类双色膜在基频光和倍频光下的损伤机制做了初步探讨.分析表明:氧化硅内保护层提高了膜基界面的抗损伤性能,从而提高了双色膜在基频光下的损伤阈值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松林		23	92	6.0	7.0
2	潘峰		11	33	3.0	4.0
3	李海波		8	34	3.0	5.0
4	马平		54	355	11.0	15.0
5	王震		8	24	3.0	4.0