采用Ag-Cu-In-Ti焊料连接碳化硅陶瓷

• 作者: 刘学建 刘岩 袁明 黄政仁
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ag-Cu-In-Ti SiC 连接强度 界面结构
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 817-820
• 页数: 4页
• 分类号: TG142
• 字数: 3614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.00817

摘要

采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷.研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响,同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构,并且探讨了连接的原理.试验结果表明,在700～780℃试验温度范围内,碳化硅的连接强度存在峰值,最高四点弯曲强度达到了234MPa,但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势.接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成,连续致密的反应层紧密连接基体和焊料,反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成,带状层宽度约20nm,由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成.元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值,活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学建	中国科学院上海硅酸盐研究所	54	555	16.0	20.0
2	黄政仁	中国科学院上海硅酸盐研究所	56	528	14.0	21.0
3	袁明	中国科学院上海硅酸盐研究所	15	67	5.0	7.0
4	刘岩	中国科学院上海硅酸盐研究所	72	581	12.0	22.0