平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制

• 作者: 乌如恭桑 何高魁 孙亮 张万昌 黄小健
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 平面工艺技术 Si-PIN探测器 能量分辨率
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 227-229
• 页数: 3页
• 分类号: TL814
• 字数: 1064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2009.01.055

摘要

叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法.为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术.文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温差电致冷条件下对55Fe5.9keV X射线的能谱响应测量结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何高魁		13	24	4.0	4.0
2	张万昌		3	16	2.0	3.0
3	孙亮		2	8	1.0	2.0
4	黄小健		7	17	3.0	4.0
5	乌如恭桑		2	9	2.0	2.0