电弧离子镀法制备高硬度Cr-Si-C-N薄膜

• 作者: Akiro Ando 卢春灿 聂朝胤 贾晓芳
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电弧离子镀 Cr-Si-C-N薄膜 纳米晶 显微硬度
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 页码范围: 1320-1324
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2009.11.008

摘要

采用电弧离子反应沉积技术在SCM415渗碳淬火钢基片上沉积了Cr-Si-C-N薄膜,三甲基硅烷(TMS)反应气体作为Si和C掺杂源,通过改变TMS流量实现了薄膜中si和C含量的调节.利用XPS,XRD,HRTEM和显微硬度计研究了Cr-Si-C-N薄膜的化学状态、显微组织和显微硬度.Cr-Si-C-N薄膜中的Si和C含量随TMS流量的增加而单调增加.在TMS流鼍小于:90 mL/min时,薄膜中Si和C含量较少,薄膜由Cr(C,N)纳米晶与Si_3N_4非品(nc-Cr(C,N)/a-Si_3N_4)组成,薄膜硬度随流量的增加而单调增大,最大至4500 HK.硬度的增加源于固溶强化及薄膜中纳米晶/非晶复合结构的形成;当TMS流量大于90 mL/min时,薄膜中Si和C含量较多,多余的C以游离态形式存在,且随TMS流量的增加而增多,薄膜硬度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢春灿	西南大学材料科学与工程学院	7	59	5.0	7.0
2	贾晓芳	西南大学材料科学与工程学院	5	20	3.0	4.0