氧化纳晶硅的光致荧光

• 作者: 于示强 侯丽梅 张荣涛 王晓允
• 来源期刊: 贵州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 界面态 受激辐射 纳晶硅氧化结构
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子、电信技术及计算机科学技术
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN249
• 字数: 365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5269.2009.01.008

摘要

观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm 和 694nm处的尖锐受激发光.这种辐射是514nm 激光泵浦发生的.受激发光峰的半高宽为0.5nm(洛伦兹形分布).这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光.解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张荣涛	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	9	17	3.0	4.0
2	王晓允	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	6	10	2.0	3.0
3	于示强	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	5	7	2.0	2.0