W-15Cu电子封装材料导热性能的研究

• 作者: 何平 姜国圣 王志法 陈德欣
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钨铜材料 导热性能 退火 冷却速度 残余应力
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 438-441
• 页数: 4页
• 分类号: TF12
• 字数: 3544字
• 语种: 中文

摘要

研究了熔渗温度、退火温度及退火冷却速度对W-15Cu电子封装材料导热性能的影响,试验结果表明退火能改善W-15Cu电子封装材料的导热性能,经850℃退火随炉冷的导热性能稳定在190W/(m*K)左右;W-15Cu电子封装材料界面残余应力的大小是影响材料导热性能的重要因素之一,残余应力越大,材料导热性能越差;W-15Cu电子封装材料随熔渗温度升高,导热系数增加,熔渗温度在1 400℃时的导热性能最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志法	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	61	796	13.0	25.0
2	姜国圣	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	39	436	10.0	19.0
3	何平	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	21	142	8.0	11.0
4	陈德欣	中南大学材料科学与工程学院有色金属材料科学与工程教育部重点实验室	8	107	6.0	8.0