多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征

• 作者: 李跃进 杨银堂 贾护军
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶碳化硅薄膜 多孔硅 常压化学气相淀积 生长 表征
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 298-300,330
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2009.02.022

摘要

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅村底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111晶向择优生长的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	李跃进	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	70	432	11.0	17.0