Al2O3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究

• 作者: 丁雷 于广华 滕蛟 王乐
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: NiFe薄膜 各向异性磁电阻(AMR) 纳米氧化层 镜面反射
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 2222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.006

摘要

各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中.器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄.采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响.结果表明:由于Al2O3层的“镜面反射”作用,适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值, 当NiFe薄膜厚度为5 nm时,通过在界面处插入约2nm的Al2O3层,薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%,增加幅度超过20%.性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的“镜面反射”作用外, 抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理与化学系	88	372	9.0	14.0
2	滕蛟	北京科技大学材料物理与化学系	37	132	6.0	9.0
3	王乐	北京科技大学材料物理与化学系	8	35	4.0	5.0
4	丁雷	北京科技大学材料物理与化学系	4	17	2.0	4.0