高增益砷化镓光导开关中的光致电离效应

• 作者: 刘鸿 阮成礼
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 光致电离效应 数值模拟 饱和值现象 空间阈值 最优激光触发
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 496-499
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS20092902.0496

摘要

研究了光致电离在高增益本征砷化镓(GaAs)光导开关(PCSS)中的效应.在高增益本征砷化镓光导开关中,各级流注发展由三个过程组成:光致电离、畴电子崩(DEA)和载流子碰撞电离雪崩生长.光致电离在本征砷化镓绝缘区中产生局部高载流子密度区域,提供了允许畴存在的局域环境.光致电离包括激光触发和流注的复合辐射两种情形.分析了光导开关的最优触发激光条件.通过计算机数值模拟,计算了在距离流注表面y≤30 μm的范围内,平均光生载流子密度n(t=0)乘以该局域的特征尺度满足偶极畴成核条件:n(t=0)·y>1012 cm-2;探讨了流注的复合辐射在流注周围产生非平衡载流子的规律;发现了触发区域沿电场方向的长度阈值LEC,触发区域的特征长度LE必须满足条件:LE≥LEC.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鸿	电子科技大学物理电子学院	22	41	3.0	5.0
3	阮成礼	电子科技大学物理电子学院	55	513	14.0	19.0