甚高频放电加速纳米硅薄膜沉积速度的机理研究

• 作者: 庄娟 王德真 王艳辉 高欣欣
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 低气压放电 硅烷 尘埃 纳米硅
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 等离子体应用
• 页码范围: 87-91
• 页数: 5页
• 分类号: O539
• 字数: 2958字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2009.01.018

摘要

建立一维自洽流体模型,对低压甚高频等离子体放电中产生的主要粒子建立连续性方程、动量方程和电流平衡方程.分析了甚高频对纳米粒子的种子离子SiH3(及电子和正离子SiH3+的影响,给出了种子离子、电子以及正离子密度随频率变化的时空演化过程.结果表明改变频率可以改变SiH3(的密度,从而控制粒子的成核及生长.同时甚高频放电也改变了等离子体中电子和正离子密度以及电场的强度,从而加快等离子体中的化学反应速度和纳米粒子的沉积速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王艳辉	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室	17	155	6.0	12.0
2	王德真	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室	44	399	13.0	18.0
3	庄娟	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室	5	10	2.0	3.0
4	高欣欣	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室	1	0	0.0	0.0