甚高频电容耦合氢等离子体特性研究

• 作者: 卢景霄 周建朋 李新利 李艳阳 杨仕娥 陈永生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频 氢等离子体 数值模拟 光发射谱
• 年，卷（期）: 2012,（16）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 335-341
• 分类号: TN763.2
• 语种: 中文

摘要

采用高H2稀释的SiH4等离子体放电，特别是甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅薄膜的主流方法．尽管在实验上取得了很大的突破，但其沉积机理一直是研究的热点和难点．本文通过建立二维时变的轴对称模型，在75MHz放电频率下，对与微晶硅沉积非常相关的甚高频电容耦合氢等离子体放电进行了数值模拟，研究了沉积参数对等离子体特性的影响，并与光发射谱（OES）在线监测结果进行了比较．结果表明：电子浓度ne在等离子体体层中间区域最大，而电子温度Te及Ha与Hβ的数密度在体层和鞘层界面附近取极大值；当气压从1Torr（1Torr=133．322Pa）增大至5Torr时，等离子体电势单调降低，在体层中间区域n。先快速增大然后逐渐减小，E先下降后趋于稳定；随着放电功率从30w增大到70w，电子浓度ne及Ha与Hβ的数密度均线性增大，而电子温度咒基本保持不变；OES在线分析结果与模拟结果符合得很好．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
3	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	李艳阳	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	7	18	3.0	3.0
5	李新利	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	5	9	2.0	2.0
6	周建朋	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	9	2.0	3.0