新型高速高精度CMOS预充电比较器

• 作者: 王江燕 裴杰
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 预充电 正反馈 响应速度 失调电压
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 31-33,46
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.05.010

摘要

采用预充电技术和合理的反馈结构设计了一种比较器,与一般的比较器相比,该电路具有更快的响应速度,更高的精度和灵敏度,较小的失调电压和较低的功耗.该比较器采用典型的TSMC 0.6μm硅CMOS工艺模型,利用Cadence进行模拟仿真.结果表明,比较器的延时为0.069μs,精度为20 mV,在5 V电源电压下,功耗为0.776 5 W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王江燕	空军第一航空学院航空电子工程系	10	26	2.0	5.0
2	裴杰	空军第一航空学院军械工程系	8	22	2.0	4.0