运用器件模拟软件验证一种GGNMOS ESD保护电路的设计方案

• 作者: 付强 田宝勇
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ESD 保护电路 GGNMOS
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2009.01.005

摘要

随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25 μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD (electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田宝勇	辽宁大学计算中心	13	65	5.0	7.0
2	付强	辽宁大学物理学院	12	33	3.0	5.0