Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性

• 作者: 丛秀云 王军华 范艳伟 董茂进 陈朝阳 陶明德
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 双重掺杂 深能级杂质 Au Ni 热敏特性
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2573字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.01.011

摘要

为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析.掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
2	范艳伟	中国科学院新疆理化技术研究所	9	57	4.0	7.0
3	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0
4	董茂进	中国科学院新疆理化技术研究所	1	2	1.0	1.0
8	王军华	中国科学院新疆理化技术研究所	4	22	2.0	4.0
9	陶明德	中国科学院新疆理化技术研究所	15	251	8.0	15.0