X波段低温低噪声放大器的研制

• 作者: 张士刚 杨斌
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: 低温低噪声放大器 HEMT器件 VLT法
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 其它
• 页码范围: 70-74
• 页数: 5页
• 分类号: TB6
• 字数: 2337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2009.12.017

摘要

介绍了X波段低温低噪声放大器的设计和实验结果.该放大器采用HEMT器件三级级联,频率范围为8 500MHz～8 850 MHz,在环境温度大约20K的环境下,噪声温度小于11K,输入输出回波损耗小于-25dB,功耗小于25mW,0～40GHz内无条件稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨斌		18	22	3.0	4.0
5	张士刚		9	13	2.0	3.0