薄膜材料电容率的测量

• 作者: 吴平 张师平 闫丹 陈森
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 电容率 阻抗分析仪
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 实验教学
• 页码范围: 1-3,16
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2009.02.001

摘要

利用阻抗分析仪测量了金属-介质薄膜-半导体结构的C-V特性曲线. 由积累区电容得到所制备HfO2薄膜的电容为1.24 nF,计算得其相对电容率为12.49.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴平	北京科技大学应用科学学院	93	481	11.0	17.0
2	陈森	北京科技大学应用科学学院	37	166	7.0	10.0
3	闫丹	北京科技大学应用科学学院	7	22	3.0	4.0
4	张师平	北京科技大学应用科学学院	30	128	6.0	10.0