激光脉冲沉积制备钛酸锶钡薄膜及其介电调协特性

• 作者: 刘秋香 熊惠芳 蒋力立
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡薄膜 脉冲激光沉积 介电调谐特性
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TM27

摘要

在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上，用脉冲激光沉积工艺制备出了高度a轴取向生长的（Ba0.65Sr0．35）TiO3（BsT）薄膜。薄膜为柱状生长的纳米晶粒，平均晶粒尺寸为50nm。在外加电场254kV／cm时，BST薄膜的相对介电常数与介电调谐率为810和76．3％。高的介电调谐率主要是BST薄膜具有高度a轴取向的柱状生长晶粒，因为来自沿平面c轴极化而产生的内部应力，在电场作用下，获得了高介电调谐率。