90 keV电子辐照对Kapton H薄膜化学结构的影响

• 作者: 何世禹 施飞舟 李春东 杨德庄
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 Kapton H XPS分析 化学结构
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 空间特殊环境效应研究
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2009.01.003

摘要

文章研究了能量为90 keV的电子辐照对Kapton H薄膜化学结构的影响.XPS分析表明,低能电子辐照导致Kapton H薄膜分子结构中C-N和C-O键的断裂,以及C＝O键的断裂和重组,并且有部分键断裂后交联.随着辐照剂量及辐照能量的增加,材料中的C-N、C＝O键含量减少,形成表面碳富集.辐照使柔性结构C-O键被破坏,产生的交联及以苯环为主的三维立体网状结构使其表面硬度增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何世禹	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程实验室	122	1160	17.0	24.0
2	李春东	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程实验室	19	89	6.0	8.0
3	杨德庄	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程实验室	96	1343	20.0	30.0
4	施飞舟		2	4	1.0	2.0