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摘要:
双束聚焦离子束(DB-FIB)已经成为半导体工业中,尤其是失效分析(FA)工作中非常重要的工具,被广泛应用于集成电路的缺陷分析和修整、TEM(透射电子显微镜)的薄片试样制备等方面.在制备TEM样品时,为了避免后期切削时Ga离子束对表层的损伤,在Ga离子束切削样品之前往往会在样品需要观测的位置上沉积一层Pt薄膜作保护层.目前,最常用的方法是先用电子束辅助沉积(E-beam assisted deposition)的方法在样品表面镀一层Pt薄膜,然后再在其上用离子束辅助沉积(I-beam assisteddeposition)的方法镀一层较厚的Pt保护层.但是最近在TEM样品观测过程中,发现用DB-FIB制备的样品表面会出现球状或岛状的黑色颗粒,这种现象严重影响TEM对样品的分析.经EDX成分分析.该颗粒的主要成分为Pt,C,Ga..通过设计一系列的实验对黑色颗粒形成原因及解决方法进行了研究.实验结果表明,这些颗粒的出现与I-Beam Pt的沉积电流有关.采用48 pA的I-Beam电流沉积Pt会避免黑色颗粒的出现,并且对该模型作出了解释.
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文献信息
篇名 DB-FIB中由不完全分解的Pt导致样品表面污染的解决方法
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 双束聚焦离子束 离子束辅助沉积Pt电流 表面污染
年,卷(期) 2009,(12) 所属期刊栏目 测试与测量
研究方向 页码范围 20-23
页数 4页 分类号 TN406
字数 1514字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2009.12.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈卉 武汉新芯集成电路制造有限公司分析实验室 1 0 0.0 0.0
2 李桂花 武汉新芯集成电路制造有限公司分析实验室 1 0 0.0 0.0
3 张玉多 武汉新芯集成电路制造有限公司分析实验室 1 0 0.0 0.0
4 李品欢 武汉新芯集成电路制造有限公司分析实验室 1 0 0.0 0.0
5 李德勇 武汉新芯集成电路制造有限公司分析实验室 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
双束聚焦离子束
离子束辅助沉积Pt电流
表面污染
研究起点
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引文网络交叉学科
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电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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