EUV光致抗蚀剂研究进展

• 作者: 刘永富 贾越
• 来源期刊: 广州化工
• 学科: 工学
• 关键词: EUV 抗蚀剂 LWR 产气作用
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 专论与综述
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TQ42
• 字数: 3671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9677.2009.06.004

摘要

波长13 5nm的极紫外(EUV)光刻技术可以刻画线幅<32nm的图像,能满足信息技术对于光致抗蚀剂高分辨率的要求,即将成为下一代纳米成像技术,利用EUV成像技术,可以实现集成电路的超小型化.本文调研了近几年来EUV抗蚀剂的研究进展,指出影响抗蚀剂性能的主要因素,包括分辨率、LWR、LER、成像灵敏度、产气作用、成像侧面角度等,对近几年来有关EUV光致抗蚀剂的研究开发情况进行了归纳总结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾越	北京师范大学化学学院	3	9	2.0	3.0
2	刘永富	中国石油化工股份有限公司北京化工研究院	2	9	2.0	2.0