单电容米勒补偿三级运放设计

• 作者: 戴庆元 王任 许洁皓
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟集成电路 单电容米勒补偿 交叉多径嵌套 频率补偿 低压运放
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 335-337
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.025

摘要

为了满足低压电路的工作要求,我们设计了一种新型的三级运放.该运放采用单电容米勒补偿与交叉多径嵌套补偿结合的方法,利用前馈通路在左半平面形成的零点来补偿其在主通路中的极点.通过使用TSMC 0.18μm工艺仿真.仿真结果表明:该运放能够获得113 dB的增益.有着87°的相位裕度,在1.8 V电源电压和120 pF负债的情况下.整体功耗只有0.534 mW.由此可见,这种新型的补偿方式能够有效地对运放进行补偿,并且使运放获得较高的增益以及较大相位裕度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴庆元	上海交通大学微纳科学技术研究院	65	299	10.0	13.0
2	王任	上海交通大学微纳科学技术研究院	3	13	2.0	3.0
3	许洁皓	上海交通大学微纳科学技术研究院	2	7	2.0	2.0