HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究

• 作者: 刘春玲 刘玉伟 卜皎 孙玲玲 曹刚 李菲 王鹏 石艳玲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 526-528
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.03.011

摘要

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中.本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤.研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性.通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鹏	华东师范大学信息科学技术学院电子系	31	335	8.0	18.0
2	石艳玲	华东师范大学信息科学技术学院电子系	47	205	8.0	12.0