等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

• 作者: 丁士进 张卫 张庆全 王季陶 王鹏飞
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相淀积 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2001.11.014

摘要

以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王季陶	复旦大学电子工程系	24	155	7.0	11.0
2	王鹏飞	复旦大学电子工程系	15	50	5.0	6.0
3	丁士进	复旦大学电子工程系	29	174	7.0	12.0
4	张卫	复旦大学电子工程系	43	271	10.0	14.0
5	张庆全	复旦大学电子工程系	2	6	1.0	2.0