掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究

• 作者: 刘红霞 宋久旭 张志勇 杨银堂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅纳米管 掺氮 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4883-4887
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.078

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对本征碳化硅纳米管和掺氮碳化硅纳米管的电子结构进行了计算.计算表明本征(8,0)碳化硅为直接带隙半导体,能带间隙为0.94 eV;掺氮浓度为1.56%和3.12%的碳化硅纳米管的能带间隙减小为0.83 eV和0.74 eV.从差分电荷密度可以看出,能带间隙的减小是氮硅键与碳硅键相比共价成键能力降低的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室	420	2932	23.0	32.0
2	张志勇	西北大学信息科学与技术学院	98	759	13.0	22.0
3	刘红霞	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室	6	65	4.0	6.0
4	宋久旭	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室	5	47	4.0	5.0