含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

• 作者: 宋久旭 杨银堂 王平 郭立新
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅纳米管 反位缺陷 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 1098-1103
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷；这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导；导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势.这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭立新	西安电子科技大学理学院	188	1461	19.0	27.0
2	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
3	王平	西安电子科技大学理学院	32	201	9.0	12.0
4	宋久旭	西安电子科技大学理学院	13	36	3.0	5.0