Ni掺杂Fe:In2O3稀磁半导体的结构和磁性能

• 作者: 姚静 李咪 陈里
• 来源期刊: 科技创新导报
• 学科: 化学
• 关键词: 稀磁半导体 氧化铟 固相反应 掺杂改性 室温磁性能
• 年，卷（期）: 2009,（14）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 字数: 1629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-098X.2009.14.005

摘要

采用高温固相反应法制备出了(In0.9-xFe0.1Nix)203(x=0～0.03).使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)分析了样品的微结构和室温下的磁性能.结果表明:不同烧结温度下(970°～1100°)对于0≤x≤0.02时,样品均为单相,晶格常数随x变大而降低,在x=0.02时取得最大饱和磁化强度Ms=1.267emu/g(T=300K).x=0.03时有杂质相析出.对于Fe:In2O3体系无Ni掺杂时表现为顺磁,Ni掺杂后样品为室温铁磁性.结果表明:样品室温铁磁性与载流子浓度和磁性离子的引入有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李咪	武汉理工大学理学院	3	2	1.0	1.0
2	姚静	武汉理工大学理学院	3	6	2.0	2.0
3	陈里	武汉理工大学理学院	2	6	2.0	2.0