氟化碳化硅片的电子和磁性结构研究

• 作者: 高本领
• 来源期刊: 淮阴工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 氟化 反铁磁半导体
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1-3
• 分类号: O47
• 字数: 1125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-7961.2010.05.001

摘要

通过密度泛函理论研究了氟化碳化硅片的电子结构和磁性特点,碳化硅中的硅原子被氟化,结果发现氟化的碳化硅片是带隙约为1.04eV的反铁磁半导体.通过简单的氟化,实现了材料由无磁性向反铁磁的转变,调节了材料的带隙,这预示着在未来的纳米功能材料中可能的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高本领	淮阴工学院数理学院	13	12	1.0	3.0