MEMS高g加速度传感器封装热应力的研究

• 作者: 刘俊 张晓明 李平 石云波 郭涛
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 封装 MEMS高g加速度传感器 热应力 贴片工艺 热膨胀系数
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1695-1699
• 分类号: TP212.1|TH824.4
• 字数: 3373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2010.12.005

摘要

封装热应力是导致MEMS器件失效的主要原因之一,本文设计了一种MEMS高g加速度传感器,并仿真研究了传感器在封装过程中的热应力及影响其大小的因素.根据封装工艺,建立设计的高g加速度传感器封装的有限元模型,利用ANSYS软件仿真传感器在不同的贴片工艺中受到的热应力及影响热应力的因素.结果显示,在封装中,与直接贴片到管壳底部相比,MEMS高g加速度传感器芯片底面键合高硼硅玻璃后再贴片到管壳底部时,封装热应力可从135 MPa降低到33 MPa;在贴片工艺中,基板的热膨胀系数和贴片胶的弹性模量、热膨胀系数及厚度是影响封装热应力的主要因素;在健合工艺中,基板和键合温度主要影响到热应力的大小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	181	1162	17.0	24.0
2	石云波	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	108	610	14.0	20.0
3	张晓明	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	69	456	12.0	19.0
4	郭涛	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	86	454	11.0	15.0
5	李平	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	5	27	3.0	5.0