应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺

• 作者: 刁宏伟 刘维 周春兰 李海玲 王文静 赵雷
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 电接触 化学镀 镍
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 625-629
• 分类号: TK514
• 字数: 3135字
• 语种: 中文

摘要

研究了在P型单晶硅上扩散的N区发射极上选择性化学镀镍工艺,获得了较为优化的化学镀工艺过程,得到了均匀致密的镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸浸泡和HF处理以及氯化钯的活化方法,使得镀层质量得以提高.进行了合金化处理温度对合金层的电阻率影响的研究,结果发现在N2气氛下330℃的热处理将会促进具有最低方块电阻的Ni-Si合金的形成.在方块电阻为45Ω/□的发射极上,化学镀后得到了方块电阻为2Ω/□的Ni-Si合金层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周春兰	中国科学院电工研究所	19	245	8.0	15.0
2	刘维	中国科学院电工研究所	31	191	10.0	12.0
3	赵雷	中国科学院电工研究所	25	210	9.0	14.0
4	王文静	中国科学院电工研究所	32	266	8.0	16.0
5	李海玲	中国科学院电工研究所	12	163	6.0	12.0
6	刁宏伟	中国科学院电工研究所	16	222	8.0	14.0