氢对非晶氮化硅薄膜键合结构和光学吸收特性的影响

• 作者: 丁文革 于威 孟令海 苑静
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶氮化硅 对靶磁控溅射 键合结构 光学吸收特性
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: O447
• 字数: 2567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2010.01.002

摘要

采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量(15～25 Sccm)条件下制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜,并利用傅立叶红外透射光谱(FTIR)和紫外一可见透射光谱(UV-VIS)对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析.结果表明,氢气流量20Sccm时薄膜中氢的键密度最大,薄膜无序度最减小;薄膜的光学带隙Eg和Eo4逐渐增大.薄膜原子间键合结构和薄膜有序性的变化可归因于反应溅射过程中氢气的钝化和刻蚀作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
2	丁文革	河北大学物理科学与技术学院	28	80	5.0	8.0
3	孟令海	河北大学物理科学与技术学院	4	11	2.0	3.0
4	苑静	河北大学物理科学与技术学院	8	29	4.0	5.0