VLS机制生长SiC晶须研究

• 作者: 刘兴钊 邓新武 陈一峰
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: SIC 化学气相沉积 晶须
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 89-90
• 页数: 2页
• 分类号: TB331

摘要

采用化学气相沉积方法，以Ni薄膜为催化剂，CH4、SiH4为反应气体，H2为载气，成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓新武	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	17	97	5.0	9.0
2	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
3	陈一峰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	3	1.0	1.0