电化学脉冲腐蚀制备多孔硅微腔技术

• 作者: 万小军
• 来源期刊: 湖南城市学院学报(自然科学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 多孔硅 微腔 电化学脉冲腐蚀方法
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 47-49
• 分类号: O646.6
• 字数: 2714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7304.2010.01.013

摘要

基于电化学脉冲腐蚀方法,用正交实验法给出了制备多孔硅微腔较为理想的制备参数:脉冲周期为5 ms,占空比为5/10和上下各6个周期的Bragg镜面层,得到了半峰宽为6 nm的窄峰发射的多孔硅微腔.并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行了解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向腐蚀(电流腐蚀),也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向腐蚀(浸泡腐蚀).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万小军	湖南城市学院计算机科学系	20	20	2.0	3.0