SiO2抛光液对A1N基片抛光性能的影响

• 作者: 唐会明 孙涛 尹青 张国玲
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMP抛光 纳米SiO2溶胶 抛光液 pH值 A1N基片 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 量微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 376-380
• 分类号: TN305.2|TN304.23
• 字数: 2839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.06.011

摘要

针对A1N基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响.通过对A1N基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分数纳米SiO2溶胶作为磨料,有利于抛光速率的提高.利用纳米SiO2溶胶、去离子水、pH调节剂和稳定剂自主配制抛光液A,与纯水按质量比1:5稀释后,在压力1.8 MPa、转速60 r/min、流速340 mL/min条件下,对A1N基片进行抛光,抛光速率为0.5 μm/min.抛光1.5 h后,A1N基片的表面粗糙度可达28 nm,表面无划痕.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐会明		3	18	2.0	3.0
2	尹青		1	8	1.0	1.0
3	张国玲		1	8	1.0	1.0
4	孙涛		1	8	1.0	1.0