SOI特种高g值MEMS加速度计设计与分析

• 作者: 汪祖民 许高斌 陈兴
• 来源期刊: 电子测量与仪器学报
• 学科: 工学
• 关键词: 加速度计 SOI 扇形结构 U型压敏电阻
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 561-568
• 分类号: TP212
• 字数: 4419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1187.2010.00561

摘要

基于SOI技术,利用ICP体硅深加工,设计分析了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计.该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用三梁-扇形质量块平板内振动结构.对称的布局方式,有效的消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度.论文建立了理论模型,并利用ANSYS软件对传感器进行模拟分析与验证,理论与模拟分析结论吻合较好.分析表明,加速度计在X轴向和Y轴向灵敏度分别为1.2 μv/g和1.18 μv/g;谐振频率分别为479 kHz和475 kHz.可实现对量程高达25万g加速度的测量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈兴	合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心	21	120	7.0	10.0
2	许高斌	合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心	22	140	7.0	11.0
3	汪祖民	合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省微电子机械系统工程技术研究中心	3	28	3.0	3.0