氮化铝体单晶生长技术研究进展

• 作者: 武红磊 郑瑞生
• 来源期刊: 深圳大学学报(理工版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体材料 晶体生长 氮化铝 单晶体 宽禁带半导体 物理气相沉积
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 433-439
• 分类号: O782
• 字数: 763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2010.04.011

摘要

评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑瑞生	深圳大学光电工程学院	14	70	5.0	8.0
2	武红磊	深圳大学光电工程学院	9	42	4.0	6.0