AIN单晶生长研究进展

• 作者: 姜守振 徐现刚 李娟 李现祥 王丽 王继扬 胡小波 蒋民华 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铝 升华法 坩埚材料
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 177-182
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.041

摘要

AlN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景.本文综述了国际上AlN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍.