铜引线键合中两级加载方式下硅基板应力

• 来源期刊: 清华大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 引线键合 两级加载 基板 有限元 应力
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 机械工程
• 页码范围: 970-973
• 页数: 4页
• 分类号: TH11
• 语种: 中文

摘要

铜引线键合在集成电路封装工业中得到了越来越多的应用.在铜引线键合中,采用压力两级加载的方式能够减少硅基板的损坏,但其机理目前还不清楚.该文建立了3D非线性有限元模型来模拟铜引线键合过程,比较了常规加载和两级加载方式中的硅基板受力状态.结果表明:超声功率相同且铜球变形相同时,两级加载方式中基板承受的压应力大于常规加载方式,拉应力两者相近,而剪应力则小于常规加载方式.不同加载方式下的基板受力分析为找出两级加载方式减少基板缺陷的作用机理提供了依据.