CIGSe吸收层与Mo背电极接触界面层研究

• 作者: 宋军 庄大明 张弓 李春雷 栾和新
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: CIGSe 溅射 硒化 Mo薄膜 太阳电池
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 713-716
• 分类号: TM615
• 字数: 2276字
• 语种: 中文

摘要

预制膜+硒化两步法可以实现大面积、均匀制备CIGSe太阳电池吸收层.在背电极Mo和吸收层CIGSe接触界面上往往会形成由比较疏松包含一些孔洞的细小颗粒组成的界面层.该文通过对不同结构的预制膜进行硒化,分析了这一界面层的产生原因,认为Ga元素在背电极处的富集导致形成了细小的晶粒;在硒化过程开始阶段由于界面处Se含量较少形成了具有挥发性的In2Se,进而导致了界面层中孔洞的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	栾和新	清华大学机械工程系	8	14	1.0	3.0
4	李春雷	清华大学机械工程系	12	60	5.0	7.0
5	宋军	清华大学机械工程系	10	29	3.0	5.0