小型微纳米图形电子束曝光制作系统

• 作者: 刘俊标 吕士龙 方光荣 殷伯华 薛虹 靳鹏云
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 扫描电子显微镜(SEM) 电子束曝光(EBL) 图形发生器 纳米结构
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 290-294
• 分类号: TP202
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2010.04.002

摘要

为了满足科学实验过程中对制作半导体器件和微纳米结构的需要,同时避免受到昂贵的工业级电子束曝光(electron beam lithography,EBL)机的条件制约,构建了一种基于普通扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)的桌面级小型电子束曝光系统,建立了以浮点DSP为控制核心的高速图形发生器硬件系统,利用线性计算方法实现了电子束曝光场的增益、旋转和位移的校正算法,在本曝光系统中应用了新型压电陶瓷电机驱动的精密位移台来实现纳米级定位,利用此位移台所具有的纳米定位能力,采用标记追逐法实现了电子束曝光场尺寸和形状的校准,电子束曝光实验结果表明,场拼接及套刻精度误差小于100nm.为了测试曝光分辨率,在PMMA抗蚀剂上完成了宽度为30 nm的密集线条曝光实验.利用此系统,在负胶SU8和双层PMMA胶表面进行了曝光实验;并通过电子束拼接和套刻工艺实现了氮化物相变存储器微电极的电子束曝光工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊标	中国科学院电工研究所	45	181	8.0	11.0
2	方光荣	中国科学院电工研究所	32	154	7.0	10.0
3	殷伯华	中国科学院电工研究所	24	94	6.0	8.0
4	靳鹏云	中国科学院电工研究所	15	21	2.0	3.0
5	薛虹	中国科学院电工研究所	18	30	3.0	4.0
6	吕士龙	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	2	3	1.0	1.0