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摘要:
提出一种利用高分辨率透射电子显微镜(high resolution transmission electron microscopy,简称HRTEM)对半导体芯片内部微纳几何结构的精确测量方法,分别讨论了测定过程中制样的影响、测量设备放大倍率的校验、样品晶向校对以及不同情况下内标法和标称法的选用.该方法对半导体工业中HRTEM的应用有一定的指导意义.
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文献信息
篇名 一种精确测定芯片内部微纳几何结构的方法
来源期刊 扬州大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 半导体芯片 微纳几何结构 高分辨率透射电子显微镜 内标法
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 50-53
页数 分类号 TN307
字数 2415字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李伙全 扬州大学物理科学与技术学院 11 23 2.0 4.0
2 刘剑霜 扬州大学物理科学与技术学院 8 19 1.0 4.0
3 陈一 复旦大学材料科学系 41 357 9.0 17.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体芯片
微纳几何结构
高分辨率透射电子显微镜
内标法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
扬州大学学报(自然科学版)
季刊
1007-824X
32-1472/N
大16开
江苏省扬州市大学南路88号
28-48
1974
chi
出版文献量(篇)
1577
总下载数(次)
2
总被引数(次)
8111
论文1v1指导